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石墨烯用化学气相沉积法制备的设备有哪些?

石墨烯用化学气相沉积法制备的设备有哪些?

石墨烯用化学气相沉积法制备的设备有cvd管式炉,微波等离子cvd设备、射频化学气相沉积法等。

cvd管式炉

下面我们来一一讲解每个设备的优缺点:

cvd管式炉:设备简单,操作容易,但是反应温度高,时间较长,耗费能量较大,无法制备大面积的石墨烯;此外,由于没有压力,薄膜生长容易形成褶皱,减小平整度。

微波等离子cvd设备:是将微波发生器产生的微波用波导管经隔离器进入反应器,并通入甲烷和氢气的混合气体,从而产生甲烷-氢气等离子体,在基底表面进行沉积。此法由于具有等离子体的辅助沉积,使其有沉积温度低,时间短等优点。

磁控溅射cvd设备:磁控溅射cvd系统属于冷壁腔cvd系统,也就是说在反应中只有衬底处是有效的加热区;高温下,碳氢气体只在衬底上分解,不会造成碳过多而产生的抑制石墨烯生长的现象。
大家可以根据自己的需求来选择合适的设备来做实验。我们公司也有专门生产cvd管式炉,
最高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等,极限真空可以达到10-3Pa,供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计,混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。公司型号为PT-T1200管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件,采用双层壳体结构和宇电控温仪表,能进行30段程序控温,移相触发、可控硅控制,炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。如果有需要的可以联系我们。

 

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